针对不同频段的攀枝花变压器EMI抑制方法

针对不同频段的攀枝花变压器EMI抑制方法 在攀枝花变压器的设计当中，EMI绝对是非常重要的一环。很多开发者都在电磁干扰的问题上绞尽脑汁，只为电路能够顺利的通过测试。但是EMI在电路中产生的情况非常复杂，产生的干扰频率也不尽相同。一些较低的干扰只需一些小小的调整即可修正，而一些较大的干扰则需要从多方面来入手。本文就将为大家介绍针对不同频段的攀枝花变压器EMI抑制方法。

1MHZ

1MHZ以内，以差模干扰为主。解决方法如下：

①增大X电容量；

②添加差模电感；

③小功率攀枝花变压器可采用PI型滤波器处理（建议靠近变压器的电解电容可选用较大些）；

1MHZ-5MHZ

1MHZ-5MHZ，差模共模混合，采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决：

①对于差模干扰超标可调整X电容量，添加差模电感器，调差模电感量；

②对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制；

③也可改变整流二极管特性来处理，一对变压器厂家快速二极管如FR107，一对普通整流二极管1N4007。

5MHZ以上

5M以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用；可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔闭环。处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

20-30MHZ

①对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；

②调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；

③在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。

④改变PCBLAYOUT；

⑤输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；

⑥在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；

⑦在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；

⑧在变压器的输入电压脚加一个小电容。

⑨可以用增大MOS驱动电阻。

30-50MHZ

30-50MHZ，普遍是MOS管高速开通关断引起。解决方法如下：

①可以用增大MOS驱动电阻；

②RCD缓冲电路采用1N4007慢管；

③VCC供电电压用1N4007慢管来解决；

④或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；

⑤在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；

⑥在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；

⑦在变压器的输入电压脚加一个小电容；

⑧PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；

⑨变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小；

50-100MHZ

50-100MHZ，普遍是输出整流管反向恢复电流引起。解决方法：

①可以在整流管上串磁珠；

②调整输出整流管的吸收电路参数；

③可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻；

④也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET；铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）；

⑤增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。

针对200MHZ以上的攀枝花变压器，这类攀枝花变压器基本辐射量很小，一般可过EMI标准。

此外需要注意的是，攀枝花变压器高频变压器电路通常来说是屏蔽层的。除了其他因素，攀枝花变压器电路板的元器件布局对于EMI抑制的影响也是十分巨大的，所以做好元器件的布局工作也变得十分重要，机械外壳也是电磁干扰是否能通过的关键。可以看到影响EMI的因素非常之多，这也是一但出现问题就会令人头疼的原因。